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三星64层256GBV-NAND闪存已进入量产

时间:2021-05-25 00:11 点击次数:
  本文摘要:三星电子器件十五日宣布,最近64层258GBV-NAND存储器已转到量产,此外,三星还将扩展包含网络服务器、PC与行動设备的存储解决方法。64层V-NAND存储器用称之为第四代V-NAND芯片,韩国ITtimes报道觉得,三星为推进领跑优点,想于年末把第四代芯片占到每个月生产制造比例拉升至五成之上。

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三星电子器件十五日宣布,最近64层258GBV-NAND存储器已转到量产,此外,三星还将扩展包含网络服务器、PC与行動设备的存储解决方法。64层V-NAND存储器用称之为第四代V-NAND芯片,韩国ITtimes报道觉得,三星为推进领跑优点,想于年末把第四代芯片占到每个月生产制造比例拉升至五成之上。

只不过是,三星2020年一月已先为某重要顾客,打造第一颗带有64层V-NAND芯片的固态盘(SSD),此后以后,三星不断朝行動与消费性存储销售市场开发运用于,务求与IT产业链同步化。三星64层V-NAND存储器传输速率约每秒钟2GBb,目前市面上同种类运行内存商品中无人会出其右。若与48层商品相比,64层存储器的节电效率大概达到三成,可信性则降低大概两城。

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三星现阶段是NAND水龙头,二零一六年市场占有率为36%,在第四代NAND芯片量产后,三星有可能陆续降调第二、三代芯片价钱,除可更进一步不断发展市占据外,还将对美光、飞利浦、WesternDigital等同业业务造成 减价工作压力。


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